不良解析

世界クラスの不良分析機能によって独自のユニットの根本原因を特定します。複数の分野の経験豊富なチームが、Cirrus Logic独自のデバイス物理および不良分析ラボで高度なツールセットを活用しています。

Cirrus Logicの通常の不良分析ワークフロー

Cirrus LogicのFAツールおよび機能

電気的分析


リアルタイムなオンライン製品分析データベース
故障のモード/メカニズムの履歴を追跡し、分析のサイクル・タイムを短縮して傾向を把握します。また、進行中の分析を追跡します。

WLCSP & BGA再加工/リボール・ツールセット
試験性能用にパッケージの再調整を行います。

オープン/ショート/リークのパラメトリック試験
パラメトリックな障害の再現-多種に及ぶパッケージの種類で、すべてのデバイス・ピンへの接続が可能です。

ATEテスタと評価ボードのセットアップ
機能不良の再現-分析には、デバイスの回路に接続しながら不良モードを完全に再現できることが必要です。

X線によるパッケージの検証、超音波顕微鏡
パッケージ完全性の検証

パッケージ上部のデキャップ
デバイス機能を維持したまま、5ピンTSSOPから352 BGAにまで対応する卓越したデキャップが可能です。

パッケージ下部のデキャップ
シリコン分析技術により、ダイ裏面からの分析が可能です。

近赤外線用に最適化された発光分析(LEM)
近赤外線の発光分析手法により、前面を強化、またはシリコン分析機能を通じて分析時間を短縮できます。

レーザー走査顕微鏡(LSM)およびInGaAsエミッション
ダイの上面および背面のLEM、OBIRCH、TIVA診断や、LVP、LVI、SILなどの高度な故障分離手法を実施可能です。

CADソフトウェア・ツール
回路とマスク・レイヤのナビゲーション、およびデバッグ用の相互検索を可能にします。

集束イオン・ビーム(FIB)
プローブ・アクセス・ポイントの作成と回路修正

マイクロプローブ(動作状態)
不良箇所追跡手法。回路全体を精査して、不良箇所をピンポイントで解明します。時間はかかりますが、必要となることがあります。

ナノプローブ
高度なプロセス・ノードの故障分離。電子ビーム吸収/磁束貫通法など。

原子間力顕微鏡(AFM)
導電およびトンネル画像処理を利用したナノ・スケールの電気特性化

物理的分析


ドライおよびウェットのエッチングによるトップダウン・デプロセス
電気的解析により特定された不良の種類に応じて、正しいデプロセス手法を選択することが可能です。

デュアル・ビームFIB
精密なクロスセクション/高解像度画像解析

光学検査用顕微鏡
デジタル画像キャプチャを統合した、高解像度、浸水、共焦点、およびレーザー・スキャンによる画像解析。

機械的クロスセクション
製造工程の短時間での調査およびモニタリング用

SEM/EDS画像解析とX線元素分析
障害のメカニズムを製造工程レベルで特定するための超高解像度画像解析


ESDおよびラッチアップ


JEDEC準拠のESD/ラッチアップ試験
早急な設計フィードバックと完全なデバッグ機能のための多系統社内試験

電気的分析


リアルタイムなオンライン製品分析データベース
故障のモード/メカニズムの履歴を追跡し、分析のサイクル・タイムを短縮して傾向を把握します。また、進行中の分析を追跡します。

WLCSP & BGA再加工/リボール・ツールセット
試験性能用にパッケージの再調整を行います。

オープン/ショート/リークのパラメトリック試験
パラメトリックな障害の再現-多種に及ぶパッケージの種類で、すべてのデバイス・ピンへの接続が可能です。

ATEテスタと評価ボードのセットアップ
機能不良の再現-分析には、デバイスの回路に接続しながら不良モードを完全に再現できることが必要です。

X線によるパッケージの検証、超音波顕微鏡
パッケージ完全性の検証

パッケージ上部のデキャップ
デバイス機能を維持したまま、5ピンTSSOPから352 BGAにまで対応する卓越したデキャップが可能です。

パッケージ下部のデキャップ
シリコン分析技術により、ダイ裏面からの分析が可能です。

近赤外線用に最適化された発光分析(LEM)
近赤外線の発光分析手法により、前面を強化、またはシリコン分析機能を通じて分析時間を短縮できます。

レーザー走査顕微鏡(LSM)およびInGaAsエミッション
ダイの上面および背面のLEM、OBIRCH、TIVA診断や、LVP、LVI、SILなどの高度な故障分離手法を実施可能です。

CADソフトウェア・ツール
回路とマスク・レイヤのナビゲーション、およびデバッグ用の相互検索を可能にします。

集束イオン・ビーム(FIB)
プローブ・アクセス・ポイントの作成と回路修正

マイクロプローブ(動作状態)
不良箇所追跡手法。回路全体を精査して、不良箇所をピンポイントで解明します。時間はかかりますが、必要となることがあります。

ナノプローブ
高度なプロセス・ノードの故障分離。電子ビーム吸収/磁束貫通法など。

原子間力顕微鏡(AFM)
導電およびトンネル画像処理を利用したナノ・スケールの電気特性化



物理的分析


ドライおよびウェットのエッチングによるトップダウン・デプロセス
電気的解析により特定された不良の種類に応じて、正しいデプロセス手法を選択することが可能です。

デュアル・ビームFIB
精密なクロスセクション/高解像度画像解析

光学検査用顕微鏡
デジタル画像キャプチャを統合した、高解像度、浸水、共焦点、およびレーザー・スキャンによる画像解析。

機械的クロスセクション
製造工程の短時間での調査およびモニタリング用

SEM/EDS画像解析とX線元素分析
障害のメカニズムを製造工程レベルで特定するための超高解像度画像解析


ESDおよびラッチアップ


JEDEC準拠のESD/ラッチアップ試験
早急な設計フィードバックと完全なデバッグ機能のための多系統社内試験


最高レベルの製品の品質と信頼性をどのように実現しているかをご覧ください。

サポートのお問い合わせ


設計に関するご質問や見積のご相談については、当社にお問い合わせいただくか、当社の公認サードパーティの営業担当者、サービス・パートナー、および販売代理店までお問い合わせください。

PDF

品質第一